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    氮化硅是一种重要的结构陶瓷材料,由它烧制的氮化硅制品具有优良的导热性能。因为它自身的独特性决定了它独特的烧制方法,下面我们就探讨一下氮化硅制品的烧制。
  1、反应烧结法
  先将硅粉压制成所需形状的生坯,放入氮化炉经预氮化(部分氮化)烧结处理,预氮化后的生坯已具有一定的强度,可以进行各种机械加工。在硅熔点的温度以上:将生坯再一次进行完全氮化烧结,得到尺寸变化很小的产品。该产品一般不需研磨加工即可使用。
  2、常压烧结法
  在提高烧结氮气氛压力方面,利用Si3N4分解温度升高(通常在N2=1atm气压下,从1800℃开始分解)的性质,在1700—1800℃温度范围内进行常压烧结后,再在1800-2000℃温度范围内进行气压烧结。
  3、气压烧结法
  气压烧结氮化硅在1~10MPa气压下,2000℃左右温度下进行。高的氮气压抑制了氮化硅的高温分解。由于采用高温烧结,在添加较少烧结助剂情况下,也足以促进氮化硅晶粒生长。
因此气压烧结无论在实验室还是在生产上都得到越来越大的重视。以上就是本次关于氮化硅制品的相关介绍,希望大家今天通过小编的介绍能够进一步了解到氮化硅制品的烧制问题。

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